銅基底泡取式石墨烯薄膜
發(fā)布日期：2025-10-24 來源： 瀏覽次數(shù)：31
銅基底泡取式石墨烯薄膜是一種通過化學(xué)氣相沉積（CVD）法在銅基底上生長石墨烯，并采用泡取式工藝制備的薄膜材料。其特點(diǎn)包括：
一、制備工藝：
采用CVD法在銅基底上生長石墨烯，生長完成后通過刻蝕去除銅基底，形成石墨烯/保護(hù)層薄膜（通常為PMMA），隨后將該薄膜轉(zhuǎn)移到目標(biāo)基底上。
二、特點(diǎn)：
快速轉(zhuǎn)移：通過去離子水浸泡即可實(shí)現(xiàn)石墨烯薄膜從銅基底轉(zhuǎn)移到任意目標(biāo)基底，操作便捷。
應(yīng)用廣泛：適用于科研實(shí)驗(yàn)，可滿足不同基底需求，如半導(dǎo)體、電子器件等領(lǐng)域的材料測試。
產(chǎn)品規(guī)格：常見尺寸包括1cm×1cm至20cm×30cm，支持定制化生產(chǎn)。
三、保存方法：
短期保存需保持包裝環(huán)境濕潤（如冰箱保鮮層存放），長期保存需密封后冷藏。
銅基底泡取式石墨烯薄膜是一種通過化學(xué)氣相沉積（CVD）法在銅基底上生長石墨烯，并采用泡取式工藝制備的薄膜材料。其特點(diǎn)包括：
一、制備工藝：
采用CVD法在銅基底上生長石墨烯，生長完成后通過刻蝕去除銅基底，形成石墨烯/保護(hù)層薄膜（通常為PMMA），隨后將該薄膜轉(zhuǎn)移到目標(biāo)基底上。
二、特點(diǎn)：
快速轉(zhuǎn)移：通過去離子水浸泡即可實(shí)現(xiàn)石墨烯薄膜從銅基底轉(zhuǎn)移到任意目標(biāo)基底，操作便捷。
應(yīng)用廣泛：適用于科研實(shí)驗(yàn)，可滿足不同基底需求，如半導(dǎo)體、電子器件等領(lǐng)域的材料測試。
產(chǎn)品規(guī)格：常見尺寸包括1cm×1cm至20cm×30cm，支持定制化生產(chǎn)。
三、保存方法：
短期保存需保持包裝環(huán)境濕潤（如冰箱保鮮層存放），長期保存需密封后冷藏。
